질화물 재료 위에 그래핀을 활용한 테라헤르츠 디바이스 연구개발

전문가 제언

실리콘 기판 위에 그라펜을 형성하는 GOS기술을 베이스로 그라펜 트랜지스터의 테라헤르츠대 동작을 실증하는 연구에 있어서, 기존 GOS의 문제점을 해결하는 수단으로 실리콘 기판과 SiC 층 사이에 질화알루미늄을 삽입한 구조를 고안하여 그라펜의 고품질화와 고주파동작을 개선하였다.

저자

Suemitsu Maki

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

화학·화공

연도

2013

권(호)

61(7)

잡지명

工業材料

과학기술
표준분류

화학·화공

페이지

43~46

분석자

서*석

분석물

• 질화물 재료 위에 그래핀을 활용한 테라헤르츠대 디바이스의 연구개발.pdf [284,899 byte]

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