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첨단기술정보

FeSe: 고온초전도체 이론의 이상적인 시험대

전문가 제언: 고온초전도체의 메커니즘에 대한 완전한 이해는 아직도 이루어지지 못하고 있다. 일반적으로 초전도 임계온도(Tc)를 얻는 방법은 전자의 수와 원자 간 거리를 최적화하는 것이다. 최근 Zhou 등(Nature Mater. 12, p.605, 2013)과 Feng 등(Nature Mater. 12, p. 634, 2013)이 이끄는 연구 팀들이 공동으로 SrTiO3 기판 위에 증착시킨 단층 FeSe 초전도체에서 전자농도와 단위격자의 크기를 아주 간단하게 조율하는 방법을 제안하였다. 그들은 FeSe 시스템의 전자거동을 연구하여 FeSe 초전도체의 Tc가 최고 65K까지 올라갈 수 있음을 밝혔다. 그들이 사용한 단층 FeSe 초전도체는 단순하면서도 이상적인 시스템에 가깝기 때문에 앞으로 제시되는 고온초전도체에 대한 여러 이론들의 실험대 역할을 할 수 있을 것이다. 즉, 새로운 이론을 FeSe에 적용하여 그 이론의 타당성 여부를 테스트하는 것이다. 그렇게 될 경우 차세대 초전도체는 지금과 같은 시행착오 방식이 아닌 이론적 설계를 통한 방식으로 제조가 가능할지도 모른다.