InGaAsP 장벽 구조를 이용한 1.0 ㎛대역에서 SLD(Superluminescent Diode)의 신뢰성 개선

전문가 제언

SLD(Superluminescent Diode)는 광학 감지계통에 대한 이상적인 광학 광대역 소스 중의 하나이다. 1.0㎛ 파장 대 SLD는 OCT(Optical Coherence Tomography)용으로 매력적이다. 1.06㎛에서 흡수가 적기 때문에 이 파장 광 SLD가 습기영향이 없는 대상측정을 실현하게 한다. 변형(strained) InGaAS 양자우물은 근적외선 영역에서 LD(Laser Diode) 발광을 위한 능동소재로서 널리 사용된다. 0.98㎛ InGaSA LD의 열화 메커니즘에 대한 보고서에서 주 문제점의 하나는 소위 COMD(Catastrophic Optical Mirror Damage)인데, 갑작스런 고장의 원인이 되고 GaAs LD에서도 관찰된다.

저자

T. Ohgoh,et al

자료유형

연구단신

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2013

권(호)

49(6)

잡지명

Electronics Letters

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

409~410

분석자

박*준

분석물

• InGaAsP 장벽 구조를 이용한 1.0㎛대역에서 SLD(Superluminescent Diode)의 신뢰성 개선.pdf [232,747 byte]

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