비정질 산화물 반도체 박막

전문가 제언

2012년부터 대량 생산이 시작된 비정질 산화물 반도체(AOS: Amorphous Oxide Semiconductor) 박막 트랜지스터(TFT: Thin Film Transistor)의 제조 공정에 이용되는 대면적 스퍼터링(sputtering) 기술과 제막조건과 막 구조?특성의 관계를 소개한다. 2012년 이전까지 평면 디스플레이(FPD: Flat Panel Display)의 화소 제어에 사용된 TFT로서는 널리 사용되는 비정질 실리콘(a-Si)과 소형~중형의 고정밀 액정 디스플레이(LCD: Liquid Crystal Display), 유기 EL 디스플레이(OELD: Organic Electroluminescence Display)에 사용되는 다결정 실리콘(poly-Si)이 대부분이었다. AOS TFT로서는 비정질 In-Ga-Zn-O(a-IGZO)가 실용화되고 있다.

대형 생산 설비인 스퍼터링 장치를 소개하고, 본 그룹의 데이터를 중심으로 퇴적 조건, 열처리 조건과 막 특성?TFT 특성의 관계를 정리한다.

저자

T.Kamiya et al

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2013

권(호)

64(7)

잡지명

表面技術

과학기술
표준분류

재료

페이지

392~395

분석자

강*태

분석물

• 비정질 산화물 반도체 박막.pdf [295,490 byte]

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