나노 크기 트랜지스터의 실현

전문가 제언

컴퓨터 칩에 사용되는 금속산화물반도체 전계효과 트랜지스터(Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor: MOSFET)의 크기를 더 축소하려면 트랜지스터 채널에 흐르는 전류의 게이트 제어를 개선하기 위하여 더 복잡한 구조가 필요할 것이다. 이런 진보된 설계는 성능을 유지하면서 크기를 줄이는 트랜지스터 비례축소화(scaling)를 가능케 하며 디바이스가 꺼진(off) 상태일 때 전류의 누전을 최소화한다. 그러면 성능의 저하 없이 작동 전압을 줄일 수 있어 디바이스는 연산 당 더 적은 전력으로 기능하다.

저자

Cory D Cress and Suman Datta

자료유형

연구단신

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2013

권(호)

341

잡지명

SCIENCE

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

140~141

분석자

박*철

분석물

• 나노 크기 트랜지스터의 실현1.pdf [261,699 byte]

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