SiC를 사용한 초고내압 바이폴라트랜지스터 개발

전문가 제언

초고내압 SiC BJT개발의 핵심은 디바이스 주변부의 전계집중을 완화하는 것으로 J. Suda팀이 이전에 개발한 20kV초고내압 SiC 다이오드 개발에서 확립된 기술을 활용하였다.

JET(Junction Terminal Extension)기술을 활용한 전계집중완화구조를 활용했다. 상부의 emitter측과 base층 및 그것의 측면부위는 그 이전의 기술을 사용하고 collector의 주변부위에 JTE를 적용하였다.

평가장치의 최대전압 23.5kV를 인가하였으나 절연파괴현상은 보이지 않았고 off-상태를 유지했다. 이때의 증폭률은 β=63으로 세계 최고의 값을 보였다.

저자

J. Suda

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2013

권(호)

67(3)

잡지명

自動車技術

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

112~113

분석자

조*

분석물

• SiC를 사용한 초고내압 바이폴라트랜지스터 개발1.pdf [243,397 byte]

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