부식 공 밀도가 낮은 III-V 반도체 웨이퍼

전문가 제언

○ GaAs는 순수한 상태에서 캐리어(carrier)농도는 1.8x106/cm3, 비저항은 3.8x108Ωcm정도의 높은 값을 가지고 있는 반절연성(semi-insulating)화합물이다. 그러나 결정체에는 여러 가지 불순물을 함유하고 있어 저항이 낮은 편이다. 반절연성이란 표현은 1960년에 고 순도의 GaAs에 처음으로 부쳐진 이름이다.

○ 지금은 pBN(pyrolitic BN)을 사용하여 고 순도의 GaAs에 첨가제를 넣어 비저항을 자유로이 제어하는 기술이 가능하게 되었다. pBN도가니에서 성장한 비저항 값은 결정의 성장방향에 따라 다르다. 융액에서 약간의 As가 과잉으로 들어가도 106Ωcm이상으로 결정체의 저항 값이 높아진다.

○ VGF법으로 III-V반도체단결정 GaAs의 결함밀도를 줄이는 방법을 소개하는 내용이다. 얼핏 보면 VB(vertical bridgman)법과 유사하다. VB법은 결정성장로내의 열원을 중심으로 성장물질이 들어있는 도가니를 수직으로 이동하여 온도차를 부여하는 방법이다. VGF법은 성장장치내부의 온도분포를 변화하여 결정을 성장하는 방법이다.

○ III-V반도체결정에 대한 연구는 우리나라를 비롯하여 세계 각국에서 연구가 이루지고 있다. 그 이유는 LED(light emitting diode)소자의 재료가 III-V단결정이기 때문이다. 국내에서 LED를 생산하는 기업체는 20여 곳이 된다. 2014년 6월에는 국제 단결정 학술회의가 제주도에서 개최되는 것으로 알고 있다.

저자

Liu, Weiguo et al.

자료유형

특허정보

원문언어

영어

기업산업분류

화학·화공

연도

2013

권(호)

WO20130023194

잡지명

PCT특허

과학기술
표준분류

화학·화공

페이지

~20

분석자

박*학

분석물

• 부식 공 밀도가 낮은 III-V 반도체 웨이퍼1.pdf [284,222 byte]

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