Si 나노와이어 트랜지스터의 극성제어

전문가 제언

가장 최근의 IC기술은 비침습적 수술, 3D 게임과 영화 및 지능 자동차를 가능하게 하였다. 단일 칩은 10억 개 이상의 기본 디바이스를 포함할 수 있는데, 스위치 또는 메모리로서 사용된 나노미터 크기의 트랜지스터로 구성된다. 최근 De Marchi 등은 수직 적층 Si NW(Nanowire) 트랜지스터에서 일어나는 도전형태를 제어하여 프로그래머블 트랜지스터를 만드는 것을 소개하였다. CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) FET는 1970년대에 산업적으로 개발되어 확장성과 매우 낮은 전력소비 때문에 정보기술의 붐을 가능하게 하였다.

저자

Thomas Ernst

자료유형

연구단신

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2013

권(호)

340

잡지명

SCIENCE

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

1414~1415

분석자

박*준

분석물

• Si 나노와이어 트랜지스터의 극성제어.pdf [248,574 byte]

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