수직 STT-MRAM을 이용한 저소비전력 캐시메모리

전문가 제언

휴대용 전자기기의 편리성 향상과 정보의 클라우드화에 의해 정보의 송배신 양이 폭발적으로 증가하고 있다. 정보량의 증대에 대처하기 위해 캐시메모리를 대용량화하면 미세화에 의한 누설전류와 데이터 유지를 위한 소비전력이 현저히 증가한다. 소비전력 저감을 위해 데이터 유지에 전력을 소비하지 않는 비휘발성 메모리가 검토되고 있으나 NAND형 플래시메모리, 하드디스크드라이브, 강유전체 메모리, 상변화메모리 등의 비휘발성 메모리는 동작속도가 느리거나 반복 써넣기를 행하면 기억소자가 파괴되는 문제가 있다.

저자

KITAGAWA Eiji, FUJITA Shinobu, ITO Junichi

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2013

권(호)

68(6)

잡지명

東芝レビュ-

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

44~47

분석자

송*택

분석물

• 수직 STT-MRAM을 이용한 저소비전력 캐시메모리.pdf [252,564 byte]

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