초고품질 SiC 용액성장

전문가 제언

승화법에 필적할 수 있는 2㎜/h의 성장속도를 용액법으로도 달성하고 있고 meniscus기법의 개발로 75㎜구경 장척성장도 실현되고 있다.

용액법에 의한 초고품질 경정성장기술은 착실하게 완성되어가고 있으나 이들은 아직 실험실 수준으로 실현된 것에 불과하다. 이들 고품질화기술에 고속성장, 대구경 및 장척 성장기술이 융합시켜 SiC 파워반도체의 실용화가 앞 당겨 질 것을 기대한다.

저자

T. Ujihara, et al

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2013

권(호)

82(4)

잡지명

應用物理

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

326~329

분석자

조*

분석물

• 초고품질 SiC 용액성장.pdf [260,893 byte]

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