SiC 파워 반도체 주변기술로서 도금기술

전문가 제언

실리콘 디바이스의 전자회로 형성에 적용되고 있는 도금 기술의 현상과 SiC 파워 디바이스의 주변기술로서 요구되는 도금기술의 특성과 가능성을 소개하고 있다.

저자

Nawafune Hidemi

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

화학·화공

연도

2013

권(호)

61(5)

잡지명

工業材料

과학기술
표준분류

화학·화공

페이지

35~38

분석자

서*석

분석물

• SiC 파워반도체 주변기술로서의 도금 기술.pdf [294,989 byte]

이미지변환중입니다.