질화갈륨(GaN) 기술의 확산

전문가 제언

-GaN 기술이 출력 증폭기(PA), 스위치, 저잡음 증폭기(LNA) 등에 적용되면서 기존 고주파 MMIC 환경이 변화되고 있다. 제작사들은 GaN MMIC를 대량 생산하고 있으며 동시에 뛰어난 성능을 제공하고 있다. GaN 특성은 L대역 에서 Ka대역 까지 반도체 다이(Die)를 작게 제작 가능하게 하며, GaAs 관련제품의 출력보다 3~5배 높은 PA MMIC 설계를 가능하게 한다.

-고전압 운용이 가능한 고전류 밀도의 GaN 트랜지스터 기술이 GaAs 부품이 많이 사용되는 기존 초고주파회로에 적용함으로서 운용성과 효율성이 크게 향상된다. 최근 GaN 트랜지스터가 50V 까지 동작가능하게 되면서 GaN 사용범위가 기존 고전압 GaAs 기술보다 더욱 많이 사용되고 있다.

-GaN 기반의 고주파 부품은 입증된 성능을 근거로 방위산업과 민수산업에 응용되기 시작하였으며 GaN 기술의 계속적인 발전에 따라 W 대역까지 높은 주파수에서 유용한 고출력 증폭기 개발을 가능하게 한다. 특히 초광대역 증폭기도 개발되어 GaAs 부품 보다 높은 출력과 효율을 제공한다. GaN가 GaAs에 비해 고가이지만 고전력 밀도와 같은 기술적 이점이 고출력 증폭기와 스위치를 시작으로 GaN으로 대체되어 가고 있다.

-국내에서는 2011년 ETRI에서 X대역 및 K대역 무선통신용 GaN기반 고출력 증폭기용 MMIC 칩을 연구하여 출력 효율 30% 수준으로 개발하였다. 이것을 시작으로 위성용, 레이더용 반도체 출력증폭기의 개발이 활성화되고 있다.

저자

Charles F.Campbell,Anthony Balistreri,Ming-Yih Kao,Deep C.Dumka,John Hitt

자료유형

학술정보

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2012

권(호)

13(6)

잡지명

IEEE microwave magazine

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

44~53

분석자

조*래

분석물

• 질화갈륨(GaN) 기술의 확산.pdf [294,884 byte]

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