최첨단 실리콘 반도체 소자의 CMP 공정

전문가 제언

Bell연구소의 Bardeen, Brattain, Shockley에 의해 게르마늄(Ge) 기판을 사용한 점접촉형의 트랜지스터가 발명된 이래 60여년이 경과되었다. 그 후 실리콘(Si)을 기판으로 사용한 접합형 트랜지스터를 거쳐 금속산화물 반도체(MOS: Metal Oxide Semiconductor) 전계효과 트랜지스터(FET: Field Effect Transistor)가 발명되기에 이르러 집적회로(IC: Integrated Circuit)화가 단숨에 가속화 되었다. 화학적 기계연마(CMP: Chemical Mechanical Polish) 기술은 이와 같은 실리콘 반도체 소자를 만드는데 핵심이 되는 공정으로 1990년대부터 사용하기 시작한 비교적 새로운 기술이다. 최근에는 적용범위가 다방면에 걸쳐 있으며, 연마 대상이 되는 재료도 여러 가지로 확대되고 있다.

저자

Kazumi Sugai

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2012

권(호)

78(11)

잡지명

精密工學會誌

과학기술
표준분류

재료

페이지

928~931

분석자

심*일

분석물

• 최첨단 실리콘 반도체 소자의 CMP 공정.pdf [286,175 byte]

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