iPVD의 Ti박막과 CVD의 Ru박막과 더불어 Cu박막의 상향식 성막

전문가 제언

iPVD(Ionized Physical Vapor Deposition)공정에 의한 Ti박막과 CVD (Chemical Vapor Deposition)공정에 의한 Ru박막과 더불어 iPVD공정으로 Cu박막의 트렌치(trench) 상향식(bottom up)성막의 우수한 개발 결과를 보고한다. CVD공정의 Ru박막과 iPVD공정의 Cu박막의 조합으로 큰 그레인(grain) Cu박막 형성과 void(공동)없는 Cu박막 채움(filling)이 가능하다.

저자

Tadahiro Ishizaka, Takashi Sakuma, Masaya Kawamata, Osamu Yokoyama, Takara Kato, Atsushi Gomi, Chiaki Yasumuro, Hiroyuki Toshima, Toshihiko Fukushima, Yasushi Mizusawa, Tatsuo Hatano, Masamichi Hara

자료유형

연구단신

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2012

권(호)

92

잡지명

Microelectronic Engineering

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

76~78

분석자

박*식

분석물

• iPVD Ti박막과 CVD Ru박막과 더불어 Cu박막의 상향식 성막.pdf [210,274 byte]

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