일본에서의 SiC 파워디바이스 개발과 실용화

전문가 제언

○ “Step제어 에피 성장법”을 개발하여 SiC 파워반도체 실용화의 첫 매듭을 푼 Kyoto대학 명예교수 H. Matsunami가 SiC 파워반도체 특성과 이의 실용화과정을 쉽게 해설한 보고서이다.

○ H. Matsunami 등이 이끈 각종 정부지원 연구개발프로젝트의 연구 성과를 적극적으로 도입한 기업이 결정성장, 에피막 성장장치, SiC 파워디바이스 분야에서 세계를 선도하기 시작했다.

○ 특히 Rohm은 기초연구로부터 탄탄하게 다져가면서 Trench형의 SBD와 Double Trench MOSFET를 개발하여 Infineon, CREE 등의 구미선두기업을 기술에서 크게 격차를 만들며 앞서 가고 있다.

○ SiC 파워디바이스의 기초소재인 고품질 SiC분말 및 단결정 등은 전략품목으로 지정하여 특약을 맺은 기업에게만 제공하는 시스템으로 운용되고 있어, Rohm은 독일의 우량결정기판제조기업 SiCrystal을 인수하명서 사업의 전 value-chain을 확보하는 경영전략을 수행하고 있다.

○ 우리나라도 세계 최고수준의 소재개발을 지원하기 위하여 World Premier Material사업에서 10대 핵심소재를 선정하여 대규모의 정부지원과 기업투자가 진행되고 있다. 제8과제 개발에는 초고순도 SiC원료분말로부터 무결함 SiC 웨이퍼, 자동차산업에서 요구되는 초고순도 SiC 소재 전체를 포함되어 있다.

○ 우리나라에서의 파워디바이스 공급은 주로 Infenion Korea 등이 주가 되어 Si 파워디바이스를 공급하고 있다. SiC 반도체 파워디바이스용으로는 SiC 박막 성장 기초연구 및 에피 박막 기판을 적용한 소자결함에 관한 연구가 서울대와 한국전기연구원에서 진행되어 왔을 뿐 상업적 연구개발은 활동이 저조한 것으로 보인다.

○ 우리의 장점인 Fast-follower 비즈니스 모델을 추구해야 할 경우 Rohm은 우리의 roll-model이 될 것이다.

저자

H. Matsunai

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2012

권(호)

60(12)

잡지명

工業材料

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

18~22

분석자

조*

분석물

• 일본에서의 SiC 파워디바이스 개발과 실용화1.pdf [353,955 byte]

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