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SiC 파워디바이스의 프로세스기술

전문가 제언: ○ 차세대반도체인 SiC 파워디바이스의 양산에 필요한 프로세스기술을 상세하게 기술하고 있다. 웨이퍼 반입시의 금속불순물, morphology, 전위 등의 결정결함 등 특성열화로 발전할 수 있는 것들의 검사방법을 현장경험을 토대로 보고하고 있어 크게 도움이 된다.

○ IE-MOSFET의 개발과정, 이온주입과 활성화열처리를 위한 절연 막 형성기술, 채널이동도 향상 및 게이트 산화막 신뢰성 등에서 양산기술이 확보되었음 보여준다. on 저항이 양의 온도계수를 보이고 있어 열 폭주에 대한 내성을 보인다는 보고는 SiC파워디바이스의 조기실용화가 중요함을 보여준다.

○ 우리나라도 세계 최고수준의 소재개발을 지원하기 위하여 World Premier Material사업에서 10대 핵심소재를 선정하여 대규모의 정부지원과 기업투자가 진행되고 있다. 제8과제 개발에는 초고순도 SiC원료분말로부터 무결함 SiC 웨이퍼, 자동차산업에서 요구되는 초고순도 SiC 소재 전체를 포함되어 있다.

○ 우리나라에서의 파워디바이스 공급은 주로 Infenion Korea 등이 주가 되어 Si 파워디바이스를 공급하고 있다. SiC 반도체 파워디바이스용으로는 SiC 박막 성장 기초연구 및 에피박막 기판을 적용한 소자결함에 관한 연구가 서울대와 한국전기연구원에서 진행되어 왔을 뿐 상업적 연구개발은 활동이 저조한 것으로 보인다.

○ 수송부분의 전력화가 크게 발전하고 있고, 재생에너지 및 스마트그리드의 보급 분야에서 차세대 파워디바이스시장은 크게 성장할 것으로 전망된다. 한국의 장점을 살리면 이 분야의 fast-follower가 될 수 있다.

저자: K. Fukuda
자료유형: 학술정보