표면전계완화형-JFET 고속 스위칭 디바이스개발

전문가 제언

차세대 파워디바이스 개발의 중심이 대전료/고내압의 파워디바이스로 기대를 모우고 있는 세로형의 SiC MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET)이나, 고속스위칭을 추구하는 디바이스도 개발되고 있다.

JFET는 주전류통로 도중에 pn접합인 전류 제어부를 형성한 트랜지스터이다. RESURF-JFET는 디바이스내부전류가 기판과 평행한 반향으로 흐르는 가로형 구조 JFET의 일종이다. 가로형이기 때문에 고내압/대전류화에 유리한 세로형 디바이스에 비하여 불리하나 수100V내압의 고속 스위칭이 기대되어 RESURF-JFET를 개발했다.

저자

T. Tsuno

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2012

권(호)

60(12)

잡지명

工業材料

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

39~42

분석자

조*

분석물

• 표면전계완화형 JFET 고속 스위칭 디바이스 개발.pdf [230,875 byte]

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