SiC파워디바이스를 사용한 회로기술

전문가 제언

SiC MOSFET의 보디다이오드 turn-on 전압은 Si의 것에 비하여 매우 높다. 이 때문에 SiC MOSFET를 적용한 양방향 DC-DC컨버터의 회로구성에는 저전압출력의 전원에 한정하지 않고 동기정류작용에 의한 도전손실억제효과를 기대할 수 있다.

SiC MOSFET의 unipolar 디바이스로서의 특징을 활용한 회로기술로 고전압의 DC-DC 컨버터회로에서의 동기정류동작에 대하여 기술했다. SiC MOSFET의 보이다이오드는 역 회복현상을 거의 보이지 않기 때문에 환류다이오드로로 보디다이오드를 사용하여도 스위칭손실을 거의 변하지 않는다.

저자

T. Funaki

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2012

권(호)

60(12)

잡지명

工業材料

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

43~46

분석자

조*

분석물

• SiC 파워디바이스를 사용한 회로기술1.pdf [201,796 byte]

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