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EUV로 감광시킬 수 있는 금속을 함유한 실리콘고분자 포토레지스트를 이용한 미세패턴의 제조방법

전문가 제언: ○ 기술문명의 발전에 따라 인간생활이 점점 더 풍요로워지고 편해지고 있다. 특히 IT기술의 발전 속도는 놀라울 정도이다. 불과 3~40년 전 거대한 크기이던 컴퓨터가 이제는 손에 들고 다니는 크기로 변했다. 이러한 소형화 고기능화는 광 리소그래피의 발전에 의한 것이라 해도 과언은 아니다.

○ 광 리소그래피에는 포토레지스트가 필수적이다. 광 리소그래피에서 해상도 높은 미세패턴을 얻기 위해서는 빛의 회절 등에 의해 해상도가 저하되지 않게 하기 위해 짧은 파장의 빛을 이용하는 것이 좋다. 초기의 가시광선의 파장을 이용하던 포토레지스트에서 지금은 자외선, EUV, 전자선 등을 이용하기에 이르렀다.

○ 이 발명은 종래 파장 13 nm EUV를 이용하던 것보다 더 짧은 파장 6.5~6.9 nm인 EUV를 이용할 수 있는 포토레지스트로 폴리히드록시스티렌의 히드록시그룹에 알킬실릴그룹을 치환시킨 실리콘고분자와 Ta, W 등 금속산화물로 이루어진 것을 사용한다. 이 발명의 금속산화물을 함유한 포토레지스트는 미세회로의 강인성이 우수하고 2차 전자 등에 의한 해상도 저하 등이 적다.

○ 한국은 자타가 인정하는 반도체 및 IT강국이다. 이는 가장 미세한 회로패턴을 제조할 수 있고 이를 이용한 IC 등을 생산할 수 있기 때문이다. 미세패턴제조를 위한 포토레지스트도 국내에서 대량생산되고 응용되고 있다. 그러나 반도체, IT제품과 같이 포토레지스트의 독창적인 개발도 세계최강이라고 하기에는 좀 부족한 면이 있다. 이는 이 발명과 같이 실리콘을 함유한 고분자 혹은 금속을 함유한 포토레지스트 등의 최초아이디어는 주로 외국인 경우가 많기 때문이다.

○ 우리나라가 반도체, IT분야에서 명실상부한 강국이 되기 위해서는 외국의 아이디어를 빌려 응용기술을 개발하는 것뿐만 아니라 포토레지스트 같은 소재개발에서도 원천기술을 먼저 개발할 수 있어야 한다. 이를 위해서는 국가적 지원 하에 산학연의 협동연구가 필요하다.

저자: ASML Netherland B.V.
자료유형: 특허정보