GaN HEMT소자의 통신용도 실용화 대책

전문가 제언

마이크로파 반도체는 위성통신, 지상통신 및 레이더 시스템 등에서 고주파신호의 전력증폭용으로 널리 쓰이고 있다. 이들 용도에는 GaAs FET가 사용되고 있지만 최근 GaN HEMT(고전자이동도 트랜지스터)소자가 우수한 재료특성으로 새롭게 주목을 받고 있다. GaN HEMT는 GaAs FET에 비하여 높은 출력전력을 얻을 수 있어 고출력전력 레이더 시스템에 적용되고 있고, Toshiba는 C대(4~8㎓) 및 X대(8~12㎓)를 비롯한 기상레이더 시스템 등에 GaN HEMT소자를 적용하고 있으나, Ku대(12~18㎓) 통신용도에서는 동작 입출력특성의 선형성 때문에 적용에 제한을 받고 있는 실정이다.

저자

Matsushita Keiichi, et al.

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

정보통신

연도

2012

권(호)

67(12)

잡지명

東芝レビュ-

과학기술
표준분류

정보통신

페이지

51~54

분석자

박*준

분석물

• GaN HEMT소자의 통신용도 실용화 대책.pdf [6,078,713 byte]

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