두꺼운 막 4H-SiC 에피텍셜성장과 결함저감

전문가 제언

에너지가 고효율로 이용되려면 전력계통제어에 이용하는 초고전압, 저손실 전력변환기의 실용화가 요망되고 있다. 종래부터 파워디바이스용 반도체로 이용되고 있는 Si에 비하여 SiC는 절연파괴전계강도가 높기 때문에 초고전압(>10kV)에서 응용이 기대되고 있다. 내전압이 10kV를 초월하는 SiC 디바이스를 실현하려면 두께가 100㎛ 이상, 불순물 농도는 1014㎝-3 수준 이하의 대단히 두꺼운 막 (초후막)이고, 고순도의 에피층이 필요하기 때문에 이러한 에피막을 제조하는 기술이 꼭 필요하다.

저자

T.Miyazawa, H. Tsujida

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2012

권(호)

60(12)

잡지명

工業材料

과학기술
표준분류

재료

페이지

29~31

분석자

황*길

분석물

• 두꺼운 막 4H-SiC 에피텍셜성장과 결함저감.pdf [264,284 byte]

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