고 S/N의 CMOS 이미지 센서를 실현하는 화소기술

전문가 제언

상호보완용 금속산화막 반도체(CMOS: Complementary Metal-Oxid Semiconductor) 이미지 센서(image sensor)에 의해 화소의 크기가 계속 축소되고 있는 가운데, 특히 저조도 촬상(撮像) 시의 신호 대 잡음비(S/N: Signal-to-Noise Ratio)의 확보가 중요한 과제가 되고 있다. S/N을 확보하는 데에는 화소가 고 양자 효율화 및 저 혼색(crosstalk)화가 열쇠가 된다.

저자

Yusuke Kohyama

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

정보통신

연도

2012

권(호)

67(10)

잡지명

東芝レビュ-

과학기술
표준분류

정보통신

페이지

6~9

분석자

이*요

분석물

• 고 S N의 CMOS 이미지 센서를 실현하는 화소기술.pdf [265,229 byte]

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