GaN 전자디바이스의 절연막 계면 제어

전문가 제언

○ 레이저다이오드나 LED 등에서 널리 사용되고 있는 GaN이 AlGaN/GaN 이종접합을 형성하면 분극전하에 의한 2차원 전류가 발생하여 높은 커리어밀도와 전자이동속도를 보인다.

○ 이를 활용한 고전자이동도 트랜지스터(HEMT : High Electron Mobility Transistor)가 개발되어 휴대전화기지국 등의 고주파 전자소자로서 널리 사용되기 시작하였다.

○ 이 특성을 살린 AlGaN/GaN이종접합 전계효과 트랜지스터(HFET : Hetero Junction Field Effect Transistor)가 SiC 파워디바이스를 능가하는 고속스위칭 파워디바이스로 개발되고 있다. 이의 실용화는 스위칭 손실 저감, on-저항 저감 및 인버터/커버터 등에서의 리엑터와 컨덴서의 소형경량화를 이룩할 수 있어 전력변환과정에서 소비되던 전력을 50%이상 저감할 수 있을 것으로 기대되고 있다.

○ 이의 실용화에 핵심이 되는 것이 게이트 절연막 형성기술로서 계면제어가 중요해 진다. 이보고서는 절연막 계면 제어가 관한 리뷰페이퍼이다.

○ LD와 LED 용 GaN 개발연구는 활발하였으나 AlGaN/GaN HEMT와 HFET에 관한 연구는 Samsung종합연구소 등에서 막 연구가 시작된 단계이다. normally-off 스위칭 디바이스로 가장 앞서 나가고 있는 것은 LED/LD분야에서 활발한 UCSB로서 2012년도 WEF의 선도기술로 선정된 바 있다.

저자

T. Hashizume

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2012

권(호)

81(6)

잡지명

應用物理

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

479~484

분석자

조*

분석물

• GaN 전자디바이스의 절연막 계면 제어.pdf [229,345 byte]

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