GaN계 고효율 전자디바이스의 개발동향

전문가 제언

○ 와이드갭 반도체 가운데 이종접합구조에 의한 2차원 전자가스를 이용할 수 있는 AlGaN/GaN 등의 질화물 반도체 디바이스특성을 고주파 특성, 내압특성, normally-off화를 위한 과제 등 실용화에 필요한 학술연구를 리뷰하고 해결해야 할 과제를 추출하고 있어 이 분야의 기술개발에 크게 참고가 될 state of arts report이다.

○ 여기에서 분석하고 있는 문헌들을 추적 조사하는 것은 또 하나의 즐거움이 될 수 있다. 이 분야의 연구는 GaN소재의 취득 어려움으로 거의 포기 상태에 있었으나 청색 LD와 백색 LED의 실용화의 연장성 상에서 HEMT와 스위칭 디바이스로의 장점이 부각되여 HFET가 활발하게 시작된 새로운 분야이다.

○ California대학 산타바바라교의 U.K Mishra 교수 팀이 만든 벤처기업 Tranphorm사의 GaN 파워디바이스가 스위스 다보스의 World Economic Forum이 성정한 2012년도 Technology pioneer로 선정된바 있다.

○ 시판 대구경 Si 기판위에 GaN 웨이퍼를 성장시키기 위하여 LG실트론이 미국 비코로부터 GaN-on-Si 웨이퍼 생산용 유기금속화학증착기를 도입하였다. 고출력반도체 분야의 연구가 활발하게 진행될 것으로 기대된다.

○ SiC 파워디바이스개발에서 뒤 처진 우리의 연구개발을 GaN LED 생산기술의 연장성 상에서 더욱 발전시키는 전략을 찾아보는 것도 우리에게 하나의 기회가 될 수 있다. LG 실트론의 웨이퍼 성장장치의 도입은 좋은 시도로 보인다.

○ 지식경제부 개발프로젝트인 10대 핵심소재사업에 선정된 초고순도 SiC 소재와는 달리 GaN HEMT의 연구개발은 경북대학교, 한양대학교, 서울대학교, 충남대학교, 포항과기대 등에서, GaN HFET 소자개발은 Samsung 전자와 홍익대학교가 수행하고 있다.

저자

M. Kuzuhara

자료유형

학술정보

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2012

권(호)

81(6)

잡지명

應用物理

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

464~470

분석자

조*

분석물

• GaN계 고효율 전자디바이스의 개발동향.pdf [249,289 byte]

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