강유전성 소자의 잠재성

전문가 제언

비휘발성 메모리 기술에 대한 추구는 고 저장밀도, 고속의 쓰기 읽기, 저 에너지 소모 등으로 집약된다. 이는 신재료 개발, 반응기구, 소자의 구조 등에 관한 집중적 연구를 촉발하였다. 원자 스위치(atomic switch), 저항 RAM(resistive RAM) 및 자기 터널 접합(magnetic tunnel junction) 등이 성공적인 기술로 두각을 나타낸 가운데, 최근 불, 영, 미의 연구팀이 또 다른 대안 기술로 의미 있는 성취를 보고했다. 이 기술은 강유전성 터널접합(ferroelectric tunnel junction)을 기반으로 한 것으로, 고 개폐율, 저 전력소모, 우수한 재현성 등을 보여주었다.

저자

Adrian M. Ionescu

자료유형

연구단신

원문언어

영어

기업산업분류

재료

연도

2012

권(호)

7(2)

잡지명

Nature Nanotechnology

과학기술
표준분류

재료

페이지

83~85

분석자

윤*석

분석물

• 강유전성 소자의 잠재성.pdf [238,218 byte]

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