X-선 근 엣지 미세구조 분광분석에 의한 그래핀의 고상 N-도핑과정의 검토

전문가 제언

독특한 물리 화학적 특성을 가지고 있는 그라펜은 다양한 분야에 활용이 기대되고 있는데 그라펜의 전자적 성질을 개선하기 위해서 정밀한 도핑이 요구된다. 질소로 도핑한 (N-도핑) 그라펜은 n-형 거동과 함께 그라펜의 전기전도성을 높여준다. 그라펜을 질소로 도핑하기 위해서 화학증착법으로 그라펜을 성장 시키는 과정에서 암모니아를 첨가하거나 암모니아 분위기 중에서 열 아닐링시켜서 대량으로 N-도핑된 환원 그라펜옥시드(GO)를 얻기도 한다. 다양한 방법을 통해 N-도핑된 그라펜에는 서로 다른 도핑종을 가지고 있어 이의 확인은 그라펜의 개질에 중요한 의미를 가진다.

저자

Jun Zhong

자료유형

연구단신

원문언어

영어

기업산업분류

화학·화공

연도

2012

권(호)

50(1)

잡지명

Carbon

과학기술
표준분류

화학·화공

페이지

335~338

분석자

마*일

분석물

• X-선 근 엣지 미세구조 분광분석에 의한 그래핀의 고상 N-도핑과정의 검토.pdf [200,856 byte]

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