그래핀 내 결함 생성과 이동 특성 규명

전문가 제언

결정격자 내 과잉 반쪽 면(extra half plane)과 같은 결함(dislocation 또는 defect)들의 이동 특성은 물질의 강도와 변형 특성에 핵심적 역할을 한다. 대부분의 물질 내 결함들의 이동을 3차원으로 추적하기 위해서는 고해상도의 전자투과현미경(TEM) 영상 분석기술이 필요하다. 2차원 그래핀 내 원자들을 추적하면 결함들의 이동특성을 간단하게 분석할 수 있는데, University of Oxford의 Jamie H. Warner 등은 정교한 TEM 기술을 이용해서 그래핀 내 결함을 생성시켜 이의 이동을 관찰한 연구결과를 2012년 7월 13일판 Science지에 발표하였는데, 이 연구는 결함의 이동이 물질의 기계적 특성에 어떻게 영향을 미치는지에 관한 이론적 이해를 증진시키는데 기여할 것으로 보인다.

저자

Luis L. Bonilla and Ana Carpio

자료유형

연구단신

원문언어

영어

기업산업분류

재료

연도

2012

권(호)

337

잡지명

SCIENCE

과학기술
표준분류

재료

페이지

161~162

분석자

이*웅

분석물

• 그래핀 내 결함 생성과 이동 특성 규명.pdf [209,179 byte]

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