강자성 반도체

전문가 제언

자성을 적당한 온도에서 전기적(혹은 광학적)으로 조절할 수 있는 강자성 반도체는 반도체 스핀트로닉스의 거대한 도전 중의 하나다. 이런 물질에 대한 연구는 1996년 Hideo Ohno가 분자 빔 에피택시로 강자성 반도체 (Ga,Mn)As를 합성하는 방법을 발견할 때 만 해도 낙관적인 혁신적 투자가 있었다. 이 재료에서 강자성 배열은 응용(최고 큐리 온도 TC ~190K)하기에 너무 낮은 온도에서 일어나지만, (Ga,Mn)As는 금속 스핀트로닉스와 일반 반도체 기술을 연결하는 중요한 개념 증명 장치 개발에 유용한 대표적 강자성 반도체로 알려졌다.

저자

Nitin Samarth

자료유형

연구단신

원문언어

영어

기업산업분류

재료

연도

2012

권(호)

11(5)

잡지명

Nature Materials

과학기술
표준분류

재료

페이지

360~361

분석자

김*훈

분석물

• 강자성 반도체.pdf [221,190 byte]

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