반도체 리소그래피의 기술동향과 Toshiba의 대책

전문가 제언

○ 리소그래피(lithography) 기술은 마스크(mask), 광근접 효과보정(OPC: Optical Proximity Correction), 노광장치, 레지스트(resist) 재료 및 레지스트 도포와 현상장치 등 다양한 요소기술로 구성되어 있다. 반도체 장치를 한층 더 고집적화하기 위해서는 이제까지보다 더 미세한 회로 패턴(pattern)을 형성하는 이 기술의 진화가 필수불가결하다.

○ 리소그래피 기술에는 반도체 장치세대마다 회로 패턴의 최소 치수가 1세대 전의 70~80%가 되도록 계속적인 미세화가 요구된다. 1990년대 이후의 광 리소그래피 기술에서는 초해상 노광기술, 스캔(scan) 노광기술 및 화학증폭 레지스트 재료 등 다양한 요소기술의 혁신이 이룩되어 미세화의 추세가 유지되어 왔다. 그러나 21세기에 들어와서 광 리소그래피의 각 요소기술 과제의 난이도 증대와 차세대 리소그래피 기술 후보의 검토에 소요되는 개발량의 증대가 문제시되어 왔다.

○ 일본 Toshiba는 이러한 요구에 대응하기 위해 각 요소기술뿐만 아니라 이들을 통합하여 성능을 최대한으로 발휘시키는 리소그래피 설계기술의 개발을 추진하여 반도체의 미세화를 가속해 왔다. 또한, 리소그래피 설계기술의 적용범위를 확대해 나가기 위해 리소그래피 시뮬레이션 기술이 중요한 역할을 담당한다는 데 착안하여 기술개발과 기술활용을 추진해 왔다. 최근 들어 이 기술이 컴퓨터 리소그래피라고 하는 신기술 영역으로서 널리 인식되게 되었다.

○ 우리나라의 삼성전자는 IBM, Globalfoundries와 함께 Intel에 맞서 20㎚ 이하의 차세대 로직 공정에 적용할 3D칩인 ‘핀펫(FINFET)' 기술을 공동개발하고 있다. 삼성전자는 차기 미세공정인 14㎚부터 핀펫 구조로 전환하기로 하였으며, 미세 패턴을 만드는 방법(리소그래피)으로 20㎚에서는 더블 패터닝(double patterning)을 사용하고 14㎚는 EUV 리소그래피 기술의 도입을 유력하게 검토 중에 있다. 우리나라가 계속적으로 반도체 부문을 선도하기 위해서는 더 많은 노력이 꾸준히 경주되어야 할 것이며, 그 중에서도 플라즈마 EUV 광원에 대한 연구는 특히 중요하므로 관련자들의 더욱 깊은 관심이 있어야 할 것이다.

저자

Tatsuhiko Higashi

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

일반기계

연도

2012

권(호)

67(4)

잡지명

東芝レビュ-

과학기술
표준분류

일반기계

페이지

2~6

분석자

서*철

분석물

• 반도체 리소그래피의 기술동향과 Toshiba의 대책.pdf [246,429 byte]

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