단결정 그래핀의 핵 생성과 성장

전문가 제언

그라펜의 여러 특이한 성질 가운데, 높은 전자 이동도는 가장 중요한 특성이다. 그러나 그라펜의 전자는 인터페이스에서의 결함 때문에 확산이 방해를 받아 이동도가 많이 떨어진다. 마이크로전자나 포토닉스 등 높은 이동도가 요구되는 재료에서 이 성질은 아주 중요한 문제가 된다.

6방정 질화붕소(hexagonal boron nitride, h-BN)는 그라펜의 가장 우수한 기질로 인식되어 왔다. h-BN 상으로 이전된 박리된 그라펜은 SiO2 상으로 이전된 경우보다 한 차원 높은 이동도를 나타낸다. 따라서 h-BN 상에서 직접 그라펜을 성장시키는 것이 그라펜 연구에서 주요한 관심사가 되고 있다.

저자

Shujie Tang, et al

자료유형

연구단신

원문언어

영어

기업산업분류

화학·화공

연도

2012

권(호)

50

잡지명

Carbon

과학기술
표준분류

화학·화공

페이지

329~331

분석자

이*옹

분석물

• 단결정 그래핀의 핵 생성과 성장.pdf [202,821 byte]

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