반도체 소자의 미세화에 대응한 응력 시뮬레이션 기술

전문가 제언

반도체 소자의 대용량화와 저비용화를 위해 폭 20nm 이하의 미세 패턴 형성을 위한 공정기술개발이 진행되고 있다. 미세화에 따라 패턴의 형상비가 커져 사소한 외력에 의해서도 패턴이 변형되는 문제가 있다. 미세 패턴이 자체의 압축 내부응력에 의해 변형되는 좌굴변형(buckling distortion)은 반도체 소자의 미세화를 실현하는데 큰 장애가 된다. 본고에서는 유한요소법을 이용하여 반도체 소자 제조공정에 있어 미세 패턴의 좌굴변형을 정량적으로 예측하는 선형 좌굴해석 기술을 소개한다.

저자

Sachiyo ITO, Keiji SUZUKI

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2012

권(호)

67(6)

잡지명

東芝レビュ-

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

40~43

분석자

송*택

분석물

• 반도체 소자의 미세화에 대응한 응력 시뮬레이션 기술.pdf [256,687 byte]

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