LSI 및 메모리의 고집적화를 위한 나노카본 배선기술

전문가 제언

반도체 소자의 집적도 증가에 따른 배선의 미세화나 박막화는 배선저항의 현저한 증가를 초래한다. 배선 폭이 100nm 이하가 되면 결정입계나 계면에서 전자의 비탄성 산란이 현저해져 저항률이 급격히 증가하는 것으로 예측되는데 이에 대한 해법이 필요하다. 본고에서는 탄소나노튜브(CNT, carbon nanotube)나 그래핀(graphene) 등의 나노카본 재료의 배선 응용의 가능성과 도시바가 ‘차세대 반도체재료/공정 기반 프로젝트’를 통해 개발한 다층 CNT 고밀도 성장기술 및 미세 CNT 비아 집적기술을 검토한다.

저자

Tadashi SAKAI, Yuichi YAMAZAKI, Masayuki KATAGIRI

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2011

권(호)

66(2)

잡지명

東芝レビュ-

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

46~49

분석자

송*택

분석물

• LSI 및 메모리의 고집적화를 위한 나노카본 배선기술.pdf [291,900 byte]

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