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첨단기술정보

AlGaN GaN 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)의 신뢰성에 미치는 전기트랩 효과

전문가 제언: ○ AlGaN/GaN/Si 화합물반도체가 갖는 고속전자이동도특성, 고속스위칭 및 고출력 특성을 살려 군사용과 우주용으로 개발되고 있다. 이의 신뢰성확보에 미치는 전기적 트랩 효과를 분석한 보고서이다.

○ On-state 스트레스와 Off-state 스트레스 인가전후의 VDS, IDS를 스트레스 인가시간, 조명상태 등에 따라 변화를 분석하여 전기적 트랩의 형성위치 및 그것이 신뢰성에 미치는 영향을 분석하고 있다.

○ 고속전자이동도 트랜지스터의 효시는 Fujitsu가 개발한 GaAs 전계효과 트랜지스터로 위성통신, 전파망원경, 휴대전화기지국 용으로 널리 사용되고 있다. 양산효과와 기술개발로 소자 당 100JPY으로까지 내려갔다. AlGaN/GaN HEMT의 가격경쟁력을 한국이 갖도록 힘써야 한다.

○ 이 리뷰 보고서는 전하공급층으로서의 AlGaN층과 전류채널로서의 GaN층이 소기의 성능을 보이고 있음을 확인시키고 있다. Si기판 사용이 이미 널리 보급되었음을 보여준다.

○ 본격적인 실용화경쟁이 전개되고 있는 SiC파워디바이스와 쌍벽을 이룰 수 있는 GaN파워디바이스 및 고주파용 출력기로서의 AlGaN/GaN HEMT의 실용화에 한국이 적극적으로 참여하여 차세대 와이드 갭 반도체 파워디바이스에서 국제경쟁력을 갖추도록 힘써야 한다.