T-자형 이산화주석 나노와이어 전류 분배기

전문가 제언

○ SnO2는 밴드 갭이 넓은 n-형 반도체로서 다양한 종류의 가스에 대하여 높은 선택성, 낮은 전기저항과 우수한 화학적 안정성을 가지고 있어 필드효과 트랜지스터, 필드 발광과 가스센서를 포함하는 전자 나노디바이스의 나노재료로 각광을 받고 있다. 그러나 현재까지 전자 나노디바이스와 관련된 이전의 보고는 단일 와이어 SnO2 나노디바이스가 아닌 SnO2 입자 필름, 나노와이어의 후레임워크, SnO2 나노와이어와 같은 통상적인 용도에 집중되었다.

○ 본고의 필자들은 3개의 가지가 접합된 SnO2 나노재료, 즉 텅스텐 팁이 각각의 프로빙 패드에 직접 접촉된 나노와이어의 T-정션을 합성하고 이를 나노와이어 T-정션이라 명명하고 이의 전기적 성질을 검토한 결과를 보고하고 있다. T-정션의 3개의 말단을 접촉시키고 이들은 각각 게이트, 소스와 드레인으로 사용하여 필드효과 트랜지스터와 마찬가지로 외부게이트를 사용하지 않고도 출력을 제어할 수 있는 특징을 가진다.

○ 이들 SnO2 T-정션은 3개 다리부분에서 줄기를 이루고 동일 방향으로 배향된 줄기를 이루는 두 개의 다리부분의 전기 저항치는 거의 차이가 없으나 이에 대해 거의 수직한 방향으로 배향된 다리부분의 전기 저항치는 두 개의 다리부분에 비해 8-9배 큰 값을 가지는데 이는 정션에서 각 다리부분에 존재하는 결정 결함의 정도가 다르며 또 결정이 이방성 을 나타내기 때문으로 설명된다.

○ 상기 연구 결과는 처음으로 T-형 이산화주석 나노와이어를 이용하여 전자의료기기를 제작할 수 있으며 새로운 세대의 나노의료기기 설계에 중요한 의미를 가진 것으로 평가되고 있다. 이러한 특징은 SnO2 T-정션이 나노 전자장치에 유용하게 이용될 수 있음을 의미하므로 이 분야 연구자들의 관심이 요망된다.

저자

Z. Guo,, S. Chen, W-H. Xu, J. Li, G-M. Yang, M-Q. Li, J-H. Liu, X-J. Huang

자료유형

학술정보

원문언어

영어

기업산업분류

화학·화공

연도

2011

권(호)

14(1)

잡지명

Materials Today

과학기술
표준분류

화학·화공

페이지

42~49

분석자

이*옹

분석물

• T-자형 이산화주석 나노와이어 전류 분배기.pdf [238,322 byte]

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