대면적 실리콘 기판 상의 고효율 InGaN-GaN 양자우물구조

전문가 제언

150mm 실리콘 기판 위에 높은 내부양자효율(IQE, internal quantum efficiencies)을 가지는 InGaN 기반의 다중양자우물(MQW, multi quantum well)을 구현하는 성장 기법을 검토한다. InGaN/GaN MQW는 대면적 (111) 실리콘 기판 위, GaN 템플레이트 위로 착상되는데, 열로 인한 균열과 웨이퍼 휨을 방지하기 위하여 AlGaN 변형완화(strain mediating) 중간층을 사용하며, MQW 구조의 활성영역에 침투전위(TD, threading dislocation) 밀도를 줄이기 위한 SiNx 중간층을 사용한다.

저자

Zhu, D.

자료유형

연구단신

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2012

권(호)

209(1)

잡지명

PHYSICA STATUS SOLIDI(A) : APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

13~16

분석자

황*룡

분석물

• 대면적 실리콘 기판 상의 고효율 InGaN-GaN 양자우물구조.pdf [210,203 byte]

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