트리알킬알루미늄을 이용한 광전지용 Al2O3 박막제조
- 전문가 제언
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○ 절연물기판이나 절연물박막에 단결정 실리콘박막을 형성하는 구조를 SOI(silicon-on-insulator)라고 부른다. SOI는 집적회로를 고속, 또는 고밀도화 하는 중요한 기술이다. S를 “semiconductor”로 해석하여 Si이외의 반도체박막을 S로 표현하는 경우도 많다. 절연박막이나 반도체박막을 성장하는 기술이 에피택시(epitaxy)성장이다.
○ 광전지산업은 비약적으로 성장하고 있다. 대부분의 광전지는 실리콘계열 전지이다. 최근에는 다결정실리콘이 독점적으로 등장하는 추세에 있다. 다결정은 단결정에 비해서 가격이 저렴하다. 일정한 레벨이상의 변환효율을 달성할 수 있는 가능성이 충분히 보인다. Si웨이퍼를 다결정, 비정질, 또는 박막으로 대치하면 전지의 경량화가 이루어진다.
○ 사파이어(sapphire; Al2O3)는 결정배열이 잘 일어나기 때문에 에피택시방법을 사용하여 박막으로 성장하는 기술이 보편화되어 있다. 여기서 얻어진 Al2O3박막은 성장속도가 빠르고, 순도가 높아서 결정결함이 적다. 전자밀도, 전자이동도도 벌크단결정에 가까운 특성을 가지고 있기 때문에 각종반도체의 보호박막으로 사용한다.
○ 원자력발전에 대한 위험성이 높기 때문에 세계적으로 핵 발전을 폐기하는 추세에 놓여 있다. 태양광발전에 대한 연구는 다른 어떤 선진국의 수준을 능가하고 있다. Si-전지를 비롯해서 화합물반도체의 발전효율을 높이기 위하여 보호박막에 관한 연구도 활발하다. 특허에서는 보호박막 Al2O3의 선구물질 TMA[(CH3)3Al]을 소개하는 내용을 담고 있다.
- 저자
- Blasco, Nicolas et al.
- 자료유형
- 특허정보
- 원문언어
- 영어
- 기업산업분류
- 화학·화공
- 연도
- 2012
- 권(호)
- WO20120028539
- 잡지명
- PCT특허
- 과학기술
표준분류 - 화학·화공
- 페이지
- ~22
- 분석자
- 박*학
- 분석물
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