광전지용 Al2O3 박막의 성장

전문가 제언

○ 절연물기판이나 절연물박막에 단결정 Si-박막을 형성하는 구조를 SOI(silicon-on-insulator)라고 부른다. SOI는 집적회로의 고속, 고밀도화에 중요한 기술이다. S를 semiconductor로 해석하여 Si이외의 반도체박막을 S로 표현하는 경우도 많다. 절연박막이나 반도체박막을 성장하는 기술이 에피택시(epitaxy)성장이다.

○ 절연물이 단결정일 경우에는 해태로(hetero)에피택시를 사용한다. 해태로 에피택시에 쓰이는 벌크 절연기판으로는 사파이어, 마그네시아 스피넬(MgAl2O4) 등이 오래전부터 알려져 있다. 특히 사파이어기판에 Si-박막을 성장한 구조를 SOS(Si-on-sapphire)라고 한다. 현재 일부 기업체에서 태양광전지제조에 SOS기술을 이용하고 있다.

○ 사파이어(sapphire; Al2O3)는 결정배열이 잘 일어나기 때문에 에피택시방법을 사용하여 박막으로 성장하는 기술이 보편화되어 있다. 여기서 얻어진 단결정박막은 성장속도가 크고, 화학적순도가 높아서 결함이 적다. 전자밀도, 전자이동도도 벌크단결정에 가까운 특성을 가지고 있기 때문에 각종반도체의 보호박막으로 사용한다.

○ 원자력발전의 위험성이 높기 때문에 세계적으로 핵 발전을 폐기하는 추세에 놓여 있다. 우리나라의 태양광전지에 대한 연구는 다른 선진국의 수준을 능가하고 있다. Si-전지를 비롯해서 화합물반도체의 발전효율을 높이기 위하여 보호박막에 관한 연구도 활발하다. 특허에서는 Al2O3박막성장용 선구물질의 상품을 소개하는 내용이다.

저자

Blasco, Nicolas et al.

자료유형

특허정보

원문언어

영어

기업산업분류

화학·화공

연도

2012

권(호)

WO20120028534

잡지명

PCT특허

과학기술
표준분류

화학·화공

페이지

~22

분석자

박*학

분석물

• 광전지용 AI2O3 박막의 성장.pdf [227,324 byte]

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