메모리 물질들에 대한 통합적 기술

전문가 제언

○ 전자회로에 정보를 저장하는 구체적인 방법은 자기편극, 불순물 주입, 상변화 등 실로 다양하다. 본 논문에서는 정보저장 방법의 차이에 상관없이 모든 정보저장 결과는 저항이나, 축전용량, 인덕턴스의 변화로 나타난다는 점을 감안하여 모든 메모리를 저항성 메모리(memristor), 축전기형 메모리(memcapacitor), 인덕터형 메모리(meminductor)로 분류하였다. 이러한 일관성 있는 기술을 통하여 메모리 소자의 디지털 및 아날로그 응용에 관해 자세히 설명하였다.

○ 세계적으로 memristor를 응용하고자 하는 연구는 미국의 HP가 선도하고 있다. HP는 2008년에 TiO2를 이용하여 스위칭 memristor를 개발 발표하였고 2011년에는 플래시와 DRAM을 대체할 memristor를 18개월 내에 개발하겠다고 발표한 바 있다. 2012년 3월에는 미국의 휴즈 연구소와 미시간 대학교 공동으로 신경망 회로 구조에 응용이 가능한 memristor 어레이를 개발하였다고 발표한 바 있다.

○ 국내에서도 이 분야에 대한 연구가 최근 활발해지고 있다. 2008년에는 삼성이 2단자 memristor 스위치에 대한 특허를 획득한 바 있으며, 2010년에는 하이닉스가 HP와 제휴하여 ReRAM의 사용 생산 계획을 발표한 바 있다. 그 외 고려대학교와 연세대학교 공동 연구로 Fe3O4를 이용한 memristor 개발에 성공한 바 있다.

○ memristor에 비하여 memcapacitor와 meminductor는 외국에서도 아직 많은 연구가 이루어지고 있지 않다. memcapacitor나meminductor는 memristor가 가지고 있지 않은 에너지 저장 기능도 가지고 있어 memristor와 복합하여 사용하거나 또는 단독으로 사용하면 기존의 저장 소자에서 구현할 수 없는 새로운 현상 실현이 가능하리라고 기대된다. 따라서 이 분야에의 국내연구도 더욱 활성화되어야 할 것이다. memristor를 신경망 회로 구조에 이용하여 뇌의 학습과 기억 원리를 이해하고자 하는 노력도 비교적 아직 초기 단계이다. 이 분야에 대한 연구도 학제 간 집중 연구가 이루어진다면 국제적으로 경쟁이 가능한 유망한 분야이다.

저자

M. D. Ventra and Y. V. Pershin

자료유형

학술정보

원문언어

영어

기업산업분류

재료

연도

2011

권(호)

14(12)

잡지명

Materials Today

과학기술
표준분류

재료

페이지

584~591

분석자

김*구

분석물

• 메모리 물질들에 대한 통합적 기술.pdf [241,201 byte]

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