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나노결정 기억소자의 개발

전문가 제언: ○ 현재 휴대용 전자기기에 주로 사용되는 플로팅 게이트 구조를 가진 비휘발성 플래시 메모리는 메모리 크기가 축소됨에 따라 저장 전하의 누설 등 물리적 한계에 봉착하고 있어 새로운 비휘발성 플래시 메모리의 개발이 시급한 실정이다.

○ 본 논문에서는 이러한 문제점들을 해결할 수 있을 것으로 기대되는 나노결정 메모리의 제작 방법, 적절한 소재의 선정, 성능을 개선하기 위한 소자 구조의 개선 등 여러 가지 내용들을 자세히 소개하였다.

○ 세계적으로 차세대 플래시 메모리 개발을 위한 경쟁은 치열하다. 본 논문에서 자세히 소개된 나노결정 플래시 메모리는 미국과 대만 등에서 집중적으로 연구되고 있으며 최근에는 그래핀을 이용한 니켈 나노결정 메모리가 미국의 연구진에 의해 보고되는 등 상용화를 위한 연구가 활발히 추진되고 있다.

○ 현재 사용 중인 비휘발성 플래시 메모리의 플로팅 게이트(FG) 구조는 1967년 당시 Bell Lab에 근무 중이던 한국인 과학자 강 대원 박사에 의하여 처음 발명되었다. 따라서 우리나라는 이 분야에 오랜 인연을 가지고 있으며 현재에도 선도적인 연구를 수행하고 있다. 현재 삼성은 상변화 물질을 이용한 PRAM 분야에서 세계를 선도하고 있으며, 나노결정 플래시 메모리 분야에서도 삼성과 여러 대학 및 연구기관에서 다수의 우수한 연구 결과를 발표하는 등 우리나라는 세계적인 경쟁력을 보유하고 있다.

○ 그러나 본 논문이나 특허 동향을 통해 알 수 있듯이 국내의 연구는 주로 이미 알려진 방법에 대한 개선 연구에 집중되어 있어 상업적 생산을 위해서는 결국 원천 기술 보유 회사나 기관과 협약을 맺거나 기술료를 지불해야하는 문제점을 가지고 있다. 따라서 현재와 같은 상용화 연구도 계속 추진하되 새로운 발상에 의한 원천 기술을 확보하는 연구에도 역량을 기울여야 할 것이다.

저자: T.-C. Chang et al.
자료유형: 학술정보