TCAD 형상 시뮬레이션 기술을 활용한 반도체의 프로세스 설계수법

전문가 제언

반도체 디바이스의 경우는 동작의 고속화와 소자의 고집적화를 위한 미세화가 급속하게 진행되고 있다. 미세화의 지표로 되는 설계 규격(design rule)은 최첨단 디바이스의 경우, 20㎚ 폭까지 절삭하는 것으로 제조 프로세스에서 발생하는 가공치수의 편차와 그에 따른 전기특성의 불균일이 원료의 낭비와 품질에 크게 영향을 미친다. 대량생산 시에 공정 마진(process margin)의 부족에 의한 원료의 낭비 및 품질의 저하를 저감하기 위해서는 개발단계에서부터 대량생산을 상정한 가공치수의 편차를 예측할 필요가 있다. 최근 이러한 과제를 해결하기 위해 시뮬레이션 기술이 적극적으로 활용되고 있다.

저자

K. Nishitani, S. Ishikawa, K. Suzuki

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

화학·화공

연도

2012

권(호)

67(2)

잡지명

東芝レビュ-

과학기술
표준분류

화학·화공

페이지

15~18

분석자

황*일

분석물

• TCAD 형상 시뮬레이션 기술을 활용한 반도체의 프로세스 설계수법.pdf [212,750 byte]

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