Si 기판에 형성하는 고주파용 수직 나노와이어 MOSFET

전문가 제언

InAs는 고이동도(high mobility)와 고주입속도(high injection speed)로 인하여 고주파 및 저전력 응용에 매우 매력적인 소재이다. 평판 소자에 비해 나노와이어와 랩게이트(wrap gate) 기술로 정전기 제어 및 축소화가 개선되었다. 우리는 MOSFET에 수직 InAs 나노와이어를 사용하고 고유전율(high k) 유전체와 랩게이트로 된 어레이(array)를 사용했다.

저자

Johansson, Sofia

자료유형

연구단신

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2012

권(호)

9(2)

잡지명

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics,

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

350~353

분석자

황*룡

분석물

• Si 기판에 형성하는 고주파용 수직 나노와이어 MOSFET.pdf [203,849 byte]

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