양자 수정 몬테카를로법을 이용한 나노 규격의 MOSFET 채널 재질 비교 분석

전문가 제언

Si MOSFET의 개량은 주로 소형화(scaling)와 전자속도를 증가시키는 채널공학을 통하여 달성되었다. 채널 길이는 10nm이하로 줄어들었는데, 준 탄도형 작동(quasi-ballistic operation) 가능성이 시작되었으며, 근본적 성능 한계에 관심이 집중하기 시작하였다. 최근 InGaAs와 같은 III-V 반도체가 높은 캐리어 이동도 덕분에 Si를 넘어서서 CMOS 논리소자에 사용될 n-형 채널 소재로 관심을 끌고 있다.

저자

Homma, Takahiro

자료유형

연구단신

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2012

권(호)

9(2)

잡지명

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics,

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

346~349

분석자

황*룡

분석물

• 양자 수정 몬테카를로법을 이용한 나노 규격의 MOSFET 채널 재질 비교 분석.pdf [204,670 byte]

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