AlGaN/GaN/Si 고속 전자이동도 트랜지스터(HEMT)에서의 열적효과

전문가 제언

○ LED, 청색 레이저광원으로 널리 보급되던 GaN 화합물반도체가 갖는 고속전자이동도특성을 살려 고속스위칭 디바이스 및 고출력 파워디바이스 용도로 개발되고 있다.

○ 고속전자이동도 트랜지스터의 효시는 Fujitsu가 개발한 GaAs 전계효과 트랜지스터로 위성통신, 전파망원경, 휴대전화기지국 용으로 널리 사용되고 있다. 양산효과와 기술개발로 소자 당 100JPY으로까지 내려갔다.

○ 고출력, 고온특성이 월등한 GaN의 실용화는 Si 기판의 사용으로 앞당길 수 있다. 대구경 Si기판사용은 저가격화의 길을 여러 준다. 이 보고서는 Si기판사용의 AlGaN/GaN 이종접합구조를 갖는 전계효과트랜지스터의 디바이스 제작기법과 2차원전자가스 형성을 위한 이론적 형식화와 실험적 검증을 해설하고 있다.

○ 전하공급층으로서의 AlGaN층과 전류채널로서의 GaN층이 소기의 성능을 보이고 있음을 확인시키고 있다. Si기판 사용이 가능함을 보여준다.

○ 고려대학교 전자공학부 성만영 교수팀, 국방과학연구원 김동환박사팀, 충남대학교 전자공학부의 염경환 교수팀 등 한국에서도 여러 가지 용도의 GaN화합물반도체 연구를 오래 전부터 수행하고 있어 곧 catch-up 할 수 있을 것으로 보인다.

○ 본격적인 실용화경쟁이 전개되고 있는 SiC파워디바이스와 쌍벽을 이룰 수 있는 GaN파워디바이스의 실용화에 한국이 적극적으로 참여하여 차세대 파워디바이스에서 국제경쟁력을 갖추도 힘써야 한다.

저자

I. Saidi, et al.

자료유형

학술정보

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2011

권(호)

61

잡지명

Solid-State Electronics

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

1~6

분석자

조*

분석물

• AlGaN GaN Si 고속 전자이동도 트랜지스터(HEMT)에서의 열적효과.pdf [226,508 byte]

이미지변환중입니다.