첨단기술정보

  1. home
  2. 알림마당
  3. 과학기술정보분석
  4. 첨단기술정보

실리콘 박막 제조장치의 압력차 제어기술

전문가 제언

○ 원자번호 14인 규소원소의 영문발음 실리콘은 영문표기로 “silicon”이다. 유기규소화합물의 중합체를 총칭하는 명칭도 실리콘이며 영문표기로는 “silicone”이다. 실란(silane)은 SinH2n+2의 조성을 가지는 수소화규소의 총칭이다. 규소화합물(Mg2Si 등)과 산을 반응해서 실란을 얻는다. 순도가 높은 실리콘(silicon; Si)을 만드는 원료로 사용한다.

○ Si-박막제조에 사용하는 실란은 모노실란 SiH4나 4염화실리콘 SiCl4를 주로 사용한다. CVD(chemical vapor deposition; 화학기상성장)법으로 SiH4를 열분해해서 Si을 기판에 증착한다. Si가 석출하는 과정에는 여러 중간반응물질 SiH2, SiH3, Si2H6, H, H2 등이 나온다. 이들 물질이 상호 반응하여 해리반응을 일으킨다.

○ Si-PECVD법은 양질의 박막을 양산하는 우수한 방법으로 인정받고 있다. 현재 박막제조에 가장 많이 사용하는 방법이다. 원료가스로는 5종류 SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2, SiH4, Si2H6이 사용되고 있다. 이 가운데서 SiCl4와 SiH4이 대표적인 원료이다. 전체의 화학반응을 보면 SiCl4+2H2?Si+4HCl(환원반응), SiH4?Si+2H2(열분해반응)이다.

○ 실란을 사용하여 우리나라에서도 삼선전자, 하이닉스 등에서 오래전부터 태양전지용 Si-박막을 성장하고 있다. 실리콘 잉곳에서 나온 박편에도 에피택시방법으로 박막을 입히면 전지의 효율이 높아진다. 대학, 출연연구기관에서도 태양전지용 박막을 비롯하여 각종 박막성장에 관한 연구가 이루어지고 있다.



저자
Bugnon, Gregory
자료유형
특허정보
원문언어
영어
기업산업분류
화학·화공
연도
2012
권(호)
WO20120027858
잡지명
PCT특허
과학기술
표준분류
화학·화공
페이지
~13
분석자
박*학
분석물
담당부서 담당자 연락처
이 페이지에서 제공하는 정보에 대하여 만족하십니까?
문서 처음으로 이동