실리콘 박막 제조장치의 압력차 제어기술
- 전문가 제언
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○ 원자번호 14인 규소원소의 영문발음 실리콘은 영문표기로 “silicon”이다. 유기규소화합물의 중합체를 총칭하는 명칭도 실리콘이며 영문표기로는 “silicone”이다. 실란(silane)은 SinH2n+2의 조성을 가지는 수소화규소의 총칭이다. 규소화합물(Mg2Si 등)과 산을 반응해서 실란을 얻는다. 순도가 높은 실리콘(silicon; Si)을 만드는 원료로 사용한다.
○ Si-박막제조에 사용하는 실란은 모노실란 SiH4나 4염화실리콘 SiCl4를 주로 사용한다. CVD(chemical vapor deposition; 화학기상성장)법으로 SiH4를 열분해해서 Si을 기판에 증착한다. Si가 석출하는 과정에는 여러 중간반응물질 SiH2, SiH3, Si2H6, H, H2 등이 나온다. 이들 물질이 상호 반응하여 해리반응을 일으킨다.
○ Si-PECVD법은 양질의 박막을 양산하는 우수한 방법으로 인정받고 있다. 현재 박막제조에 가장 많이 사용하는 방법이다. 원료가스로는 5종류 SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2, SiH4, Si2H6이 사용되고 있다. 이 가운데서 SiCl4와 SiH4이 대표적인 원료이다. 전체의 화학반응을 보면 SiCl4+2H2?Si+4HCl(환원반응), SiH4?Si+2H2(열분해반응)이다.
○ 실란을 사용하여 우리나라에서도 삼선전자, 하이닉스 등에서 오래전부터 태양전지용 Si-박막을 성장하고 있다. 실리콘 잉곳에서 나온 박편에도 에피택시방법으로 박막을 입히면 전지의 효율이 높아진다. 대학, 출연연구기관에서도 태양전지용 박막을 비롯하여 각종 박막성장에 관한 연구가 이루어지고 있다.
- 저자
- Bugnon, Gregory
- 자료유형
- 특허정보
- 원문언어
- 영어
- 기업산업분류
- 화학·화공
- 연도
- 2012
- 권(호)
- WO20120027858
- 잡지명
- PCT특허
- 과학기술
표준분류 - 화학·화공
- 페이지
- ~13
- 분석자
- 박*학
- 분석물
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