고효율 실리콘 양자점 태양전지를 위한 양자 나노구조 제작공정 확립

전문가 제언

종래 반도체 미세가공에는 플라즈마 식각 공정이 널리 이용되어왔다. 그러나 플라즈마로부터 방사되는 하전입자는 가공의 정밀도를 떨어뜨리고, 자외선이 박막 내에 10~100nm 정도까지 깊게 진입하여 결함을 형성시키는 문제가 있다. 특히 결함 생성은 전기적 또는 광학적으로 나노 소자의 특성을 악화시킨다. 일본 동북대 유체과학연구소의 사무카와(寒川) 교수 연구팀은 초저손상/중성입자 빔 공정기술을 이용하여 고효율 실리콘 양자점 태양전지를 실현하는 데 필요한 이상적인 광흡수 층(양자점 층) 제작공정을 확립했다.

저자

Yasushi SOGABE

자료유형

연구단신

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2011

권(호)

94(11)

잡지명

電子情報通信學會誌

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

1013~1014

분석자

송*택

분석물

• 고효율 실리콘 양자점 태양전지를 위한 양자 나노구조 제작공정 확립.pdf [211,906 byte]

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