반도체 박막의 제조

전문가 제언

○ 물질을 분류할 때에 전기를 잘 통하는 도전체와 전기를 통하지 않은 절연체로 나눈다면 반도체는 도전체(Ag, Cu)와 절연체(유리, 베이클라이트) 사이에 위치하는 도전체, 반도체(Si Ge), 절연체의 서열을 가지는 금속이다. 도전체의 전기 저항률은 10-4Ω·cm, 반도체는 10-4~108Ω·cm, 절연체는 108Ω·cm 이상이다.

○ 벌크단결정은 3차원 결정이다. 박막단결정은 2차원을 원칙으로 하나, 박막두께가 생기면 3차원구조를 가지게 된다. 3차원 벌크단결정을 박막용도로 사용할 때에는 박편으로 잘라서 가공하여 사용하였다. 현재는 에피택시방법으로 기판에 박막을 간단한 방법으로 작성하여 소재로 사용하는 추세에 있다.

○ 다 성분의 혼정(mixture crystals)박막을 작성하여 반도체물성을 다양화하는 경향이 있다. 가령 3원 혼정반도체에 III-V족의 InxGa1-xAs, II-VI족의 ZnxSe1-x, I-III-V족의 CuInSe2 등 다원화합물의 박막성장과 결정성 평가도 현재 활발하게 이루어지고 있다. LPE(Liquid Phase Epitaxy)법으로 수 ?m의 두께를 가지는 4원소 혼정 InxGa1-xAsyP1-y도 만들고 있다.

○ 특허의 내용은 반도체원소(I, II, III, IV, V, VI)를 함유하는 선구물질시약을 사용해서 원하는 혼정성분의 결정박막을 작성하는 방법을 소개하고 있다. 종류별 반도체시약을 혼합해서 기판에 페인트칠을 한다. 다음에는 기판을 가열해서 건조하는 것으로 태양광용 박막제조가 끝난다. Cu는 전기전도성을, Se은 광전도성을 높이기 위하여 첨가한 것이다.

저자

Deshmukh, et al.

자료유형

특허정보

원문언어

영어

기업산업분류

화학·화공

연도

2012

권(호)

WO20120000594

잡지명

PCT특허

과학기술
표준분류

화학·화공

페이지

~36

분석자

박*학

분석물

• 반도체 박막의 제조.pdf [319,113 byte]

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