절연기판에 성장한 실리콘박막의 마무리 작업

전문가 제언

○ 절연물기판이나 절연물박막위에 단결정 Si박막을 형성한 구조를 SOI(silicon-on-insulator)구조라고 한다. 반도체의 집적회로의 고속화, 고밀도화에 필요한 기술이다. S를 넓은 의미의 semiconductor(반도체)로 생각하여 Si이외의 반도체 Ge, GaAs, GaN 등을 포함하여 이들 박막을 절연기판에 작성한 반도체도 SOI로 표시한다.

○ SOI구조형성에는 첫째 절연체에 반도체박막을 형성하는 방법, 둘째 반도체기판에 절연물박막을 매몰하는 방법, 셋째는 절연물박막에 반도체기판을 접합하는 방법이 있다. 에피택시(epitaxy)성장에는 첫째 방법으로 SOI구조를 형성한다. 절연물이 단결정이면 해태로(hetero)에피택시, 비정질이면 레트랄(lateral)에피택시 기술을 이용한다.

○ 해태로(hetero)에피택시에는 사파이어(Al2O3)기판이 쓰이나, 사파이어기판에는 박막과 기판간의 격자부정합의 차이, 열팽창계수의 차이 때문에 박막의 결정성이 좋지 않다. Si박막의 성장에는 CVD법으로 박막을 성장한 다음에 Si이온을 주입하여 박막의 일부를 비정질로 하고, 남아있는 부분을 종자결정으로 해서 고상에피택시로 성장한다.

○ 반도체박막은 오래전부터 산업화되어 잘 알려져 있는 상품이다. 현재 반도체박막의 수요가 세계적으로 급증하고 있는 추세에 있다. 이 특허는 제품공급을 수요에 맞추기 위한 수단으로 개발한 새로운 박막성장장치인 PECVD(plasma epitaxy chemical vapor deposition)기구를 독자에게 소개하고 있는 것으로 보인다.

저자

Unsenko, Alex

자료유형

특허정보

원문언어

영어

기업산업분류

화학·화공

연도

2012

권(호)

WO20120012138

잡지명

PCT특허

과학기술
표준분류

화학·화공

페이지

~37

분석자

박*학

분석물

• 절연기판에 성장한 실리콘박막의 마무리작업.pdf [231,372 byte]

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