저손실 파워디바이스용 SiC 벌크결정 성장기술의 현황

전문가 제언

○ 이 자료는 고효율 파워디바이스(power device)의 소재인 대구경 SiC 벌크(bulk) 단결정 성장부문에서 세계의 관련 업계를 선도하고 있는 일본 Nippon Steel의 관련 기술 개발담당자인 T. Fujimoto가 그들의 개발경험을 바탕으로 SiC 승화재결정법(PVT)의 기술적 과제와 그 극복과정을 소개한 보고서이다.

○ SiC 디바이스 중 SiC planer형 MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor)은 Cree, Mitsubishi-Denki, Panasonic 및 SiCED 등에서 일부 시판을 시작하였으며 SiC Trench형 MOSFET은 Rohm 등이 개발하고 있다. 또한 SiC JFET는 Toshiba 등이 개발하여 실용화 직전에 있다.

○ 상기에서 알 수 있는 바와 같이 Cree 등을 제외하면 모든 기업이 일본기업이라고 할 수 있다. SiC 디바이스의 성능과 응용범위는 이미 널리 밝혀진 바와 같이 우수하다는 것이 실증되어 있다. 남은 과제는 저가격화와 양산화기술 및 고경도 소재의 취급기술이라고 할 수 있다.

○ SiC 디바이스기술 개발의 관건은 대구경 저손실의 단결정 성장기술과 고경도 소재의 취급기술을 완성하는 것이다. 우리나라는 Si 웨이퍼의 가공기술과 나노화기술을 비롯하여 우수한 반도체 가공기술을 보유하고 있고 이 분야에서 세계를 선도하고 있다.

○ 우리나라의 반도체산업이 제조 및 가공 분야에서 보유한 장점들을 살려나가면 파워디바이스 분야에서도 세계시장을 선도할 수 있을 것이다. 이 분야는 우리나라 산업의 차세대 성장 동력 중 하나라고 할 수 있으며 이를 확실하게 우리의 먹거리로 만들기 위한 전략을 펼쳐나가야 할 것이다. 또한 LED에서 사용되고 있는 저품위의 SiC 제작기술에서 하루 빨리 벗어나야 할 것이다.

저자

T. Fujimoto

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

에너지

연도

2100

권(호)

46(8)

잡지명

セラミックス

과학기술
표준분류

에너지

페이지

626~631

분석자

조*

분석물

• 저손실 파워디바이스용 SiC 벌크결정 성장기술의 현황.pdf [332,564 byte]

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