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유동성의 CVD공정으로 형성된 유전체 표면의 습식산화법

전문가 제언: ○ 본 발명은 유동성 CVD공정에 의해서 기판 위에 유전체를 형성시키고 열처리(curing)한 후, 그 표면을 습식산화처리하여 산화된 유전체를 형성시키는 방법이다. 이 방법은 트렌치 내에 기공이나 심과 같은 결함을 발생시키지 않고 반도체 소자의 크기를 감소시킬 수 있는 획기적인 방법이므로 향후 활용가능성이 높을 것으로 예상된다.

○ 반도체 소자의 기판 위에 배치된 트렌치를 채우는 데에는 산화실리콘과 같은 유전체 층이 이용된다. 만약 트렌치가 넓고 얕으면 트렌치를 비교적 쉽게 채울 수 있다. 그러나 종횡비가 증가하면 트렌치의 입구는 쉽게 막혀버리게(pinch off) 되어 트렌치 내에 기공이 발생된다. 본 발명에서는 이러한 문제점을 해결하기 위하여 반도체 웨이퍼와 같은 기판 위에 배치된 유전체에 대한 습식산화기술을 확립하였다.

○ 반도체 소자 기판의 소형화로의 전세계적인 발전추세로 보아, 트렌치 내에 종횡비(폭에 대한 깊이이 비율)는 급속하게 증가되고 있는 경향을 보이고 있다. 이러한 시점에서 트렌치의 높은 종횡비에도 불구하고 유전체의 증착동안에 기공의 형성을 방지할 수 있는 국제적인 경쟁력을 갖출 수 있는 CVD 기술의 국내 정착이 요구되고 있다.

○ 반도체 소자의 초대규모집적(VLSI)과 극초집적회로(ULSI)에 있어서 서브-하프-마이크론(sub-half micron) 혹은 그 이하의 크기에 대한 제조기술 발전을 차세대 유망기술 중의 하나로 들 수 있다. 나아가 게이트 패턴과 STI(소자간분리절연막, shallow trench isolation) 지역에 대한 신뢰성 있는 형성기술은 집적회로 기술에 대단히 중요한 몫을 차지할 것으로 예상되므로 향후 국내관련 기업체에서는 이에 대한 정보수집과 기술정착이 필요하다.

저자: APPLIED MATERIALS, INC.
자료유형: 특허정보