첨단기술정보

  1. home
  2. 알림마당
  3. 과학기술정보분석
  4. 첨단기술정보

첨단전자 실장분야 도금기술에의 요망

전문가 제언
○ 최근 이동통신용 스마트폰, 스마트TV 개발과 함께, IT정보통신 반도체 메모리 핵심부품이 개발되고 있다. 전자기기 제조사는 제한된 공간에 보다 소형화, 대용량의 데이터를 고속송신을 목표로 기술개발이 치열하다. 첨단 반도체와 PWB의 신뢰성 확보 측면에서 습식도금기술의 중요성은 점점 더 강조되고 있다.

○ 세계적으로 반도체 습식도금 측면에서 IC칩 내의 다층회로 성능향상에 큰 노력을 기울이고 있다. 인터포저(Interposer)란 인쇄회로기판 상면에 반도체 Bare Chip, 하면에 Connector를 실장한 부품으로 리드프레임과 몰드역할을 한다. 보다 작은 공간에 대용량의 부품을 탑재하고 기능성을 부여하는 고밀도집적회로의 실장도금기술 개발경쟁이 치열하다.

○ 일본 NPO Circuit Network에서는 홀 가공 후에 홀 벽면에 CVD 등에 의해 SiO2 등의 절연막을 형성하고, Cu도체재료를 충전하는 IC가공 후에 뒷면 연삭하여 Via Hole을 노출시켜 전극을 형성하는 습식 Cu전기도금기술을 개발했다. 2㎛ 이하의 균일도금 두께와 밀착성 확보, 누전방지를 위해서는 저가의 Cu도금액 첨가제와 유전율이 작은 저가의 수지 개발이 필수적이라 사료된다.

○ 인쇄배선판(PWB)는 인쇄회로기판(PCB)보다 한 단계 업그레이드된 개념이다. 기존의 건식법에 의한 TSV도금과 산알칼리 에칭방법으로써는 10㎛ 이하의 미세패턴이나 BVH(Blind Via Hole)을 형성하기란 불가능하였다. 최근 일본에서는 습식 Cu 전기도금방법으로 직경 10㎛ 이하의 반도체 IC칩의 Via Hole 충전도금을 적용하고 있다.

○ 국내 삼성전기에서는 IC칩과 접속도 10㎛ 이하의 미세한 Bump나 Gold Wire Bonding 실장도금방법으로 개발하고 있다. Via Hole 바닥면에서 위로 충전해가는 Cu Damascene Via 충전기술도 적용하고 있다. 습식 Cu전기도금은 PVD, CVD, 스퍼터링보다 기공(void)없이 균일한 도금이 가능하므로 신호고속송신에 유리하다. 10㎛ 이하 수지계의 인터포저를 대량으로 생산할 수 있는 습식도금 기술개발이 요구되고 있다.

저자
Susumu HONDA
자료유형
학술정보
원문언어
일어
기업산업분류
재료
연도
2011
권(호)
79(3)
잡지명
電氣化學および工業物理化學
과학기술
표준분류
재료
페이지
188~192
분석자
김*상
분석물
담당부서 담당자 연락처
이 페이지에서 제공하는 정보에 대하여 만족하십니까?
문서 처음으로 이동